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申请/专利权人:中科研和(宁波)科技有限公司
摘要:本发明提供一种隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法,隧穿氧化物钝化接触结构包括晶硅衬底,所述晶硅衬底的表面依次设有纳米氧化硅层、掺杂多晶硅层和过渡层,所述过渡层由一层或多层本征多晶硅薄膜或轻掺杂多晶硅薄膜组成,所述轻掺杂多晶硅薄膜中掺杂有磷或硼元素,所述掺杂多晶硅层由一层或多层掺杂多晶硅薄膜组成,所述掺杂多晶硅薄膜中的磷或硼元素浓度高于所述轻掺杂多晶硅薄膜中的磷或硼元素浓度,所述轻掺杂多晶硅中的磷或硼元素浓度低于3×1020atomscm‑3。
主权项:1.一种隧穿氧化物钝化接触结构,其特征在于,包括晶硅衬底,所述晶硅衬底的表面依次设有纳米氧化硅层、掺杂多晶硅层和过渡层,所述过渡层由一层或多层本征多晶硅薄膜或轻掺杂多晶硅薄膜组成,所述轻掺杂多晶硅薄膜中掺杂有磷或硼元素,所述掺杂多晶硅层由一层或多层掺杂多晶硅薄膜组成,所述掺杂多晶硅薄膜中的磷或硼元素浓度高于所述轻掺杂多晶硅薄膜中的磷或硼元素浓度,所述轻掺杂多晶硅中的磷或硼元素浓度低于3×1020atomscm-3。
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