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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明涉及一种基于陷阱态调控提高击穿电压的氮化镓器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件从下向上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，帽层上设置有栅极，GaN沟道层上对称设置有源极和漏极，GaN帽层上侧设置有受主陷阱。本发明在GaNHEMT器件的表面添加受主陷阱，不仅能够提高器件的击穿电压，还能够在不影响器件其他性能参数的前提下，简化制造工艺，降低成本，具有重要的实用价值和广阔的市场前景。
主权项：1.一种基于陷阱态调控提高击穿电压的氮化镓器件，其特征在于，从下向上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，GaN帽层上设置有栅极，GaN沟道层上对称设置有源极和漏极，栅极和漏极之间的GaN帽层上侧设置有受主陷阱，GaN帽层厚度为2nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 基于陷阱态调控提高击穿电压的氮化镓器件及其制备方法
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