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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
摘要：本申请提供一种肖特基二极管陷阱电荷密度测量方法，包括：获取肖特基二极管陷阱电荷量；获取欧姆接触结构的横截面面积；基于陷阱电荷量和横截面面积得到肖特基二极管陷阱电荷密度。本申请的陷阱电荷密度测量方法中，可以直接表征对肖特基二极管器件性能影响最大的界面或者表面处的陷阱电荷密度，作为判断肖特基二极管器件退化趋势的关键参数，当用于肖特基二极管寿命分布测试方法时，可以使得肖特基二极管寿命的评估结果波动小，检测准确率高。
主权项：1.一种肖特基二极管陷阱电荷密度测量方法，其特征在于，所述肖特基二极管包括：衬底、肖特基接触焊盘、阳极金属空气桥、肖特基接触结构及欧姆接触焊盘；所述肖特基接触焊盘与所述欧姆接触焊盘于所述衬底的表面间隔排布；所述阳极金属空气桥一端与所述肖特基接触焊盘相连接，另一端延伸至所述欧姆接触焊盘上；所述肖特基接触结构位于所述阳极金属空气桥与所述欧姆接触焊盘之间，且与所述阳极金属空气桥及所述欧姆接触焊盘均相接触；所述肖特基二极管陷阱电荷密度测量方法包括：获取所述肖特基二极管陷阱电荷量；获取所述欧姆接触结构的横截面面积；基于所述陷阱电荷量和所述横截面面积得到所述肖特基二极管陷阱电荷密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 肖特基二极管陷阱电荷密度测量方法和寿命分布测试方法
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