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申请/专利权人：西部数据技术公司
摘要：本发明涉及一种裸片分离环，所述裸片分离环在半导体晶片扩展过程期间引起半导体晶片的不均匀扩展。所述裸片分离环包含围绕中心轴延伸的环形主体。所述裸片分离环的所述环形主体包含具有第一高程的第一部分以及具有低于所述第一高程的第二高程的第二部分。第三部分在所述第一部分与所述第二部分之间延伸，从而在所述第一部分与所述第二部分之间形成过渡。
主权项：1.一种裸片分离环，其包括：环形主体，其围绕中心轴延伸，所述环形主体具有顶部和底部，所述顶部包括：第一平坦表面，其具有相对于所述环形主体的所述底部的第一高程；第二平坦表面，其具有相对于所述环形主体的所述底部的第二高程，所述第二高程低于所述第一高程；以及第三非平坦表面，其在所述第一平坦表面与所述第二平坦表面之间延伸，其中：所述第一平坦表面布置成接触与半导体晶片相关联的扩展材料，以在所述裸片分离环在平行于所述中心轴的方向上从第一位置移动到第二位置时使所述扩展材料在第一方向上扩展；并且所述第二平坦表面布置成接触与所述半导体晶片相关联的所述扩展材料，以在所述裸片分离环从所述第一位置移动到所述第二位置时使所述扩展材料在第二方向上扩展，在所述第二方向上的所述扩展小于在所述第一方向上的所述扩展。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西部数据技术公司 用于具有大裸片纵横比的晶片的裸片分离环
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