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申请/专利权人：深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
摘要：本发明提供了一种晶片制作方法及晶片，涉及半导体制备工艺技术领域。通过在晶锭上进行简单的主参考面和副参考面的制作，在对晶锭切割后即可使得晶片上具有主定位面和副定位面，由此根据副定位面相对主定位面的方位，达到区分晶片的第一表面和第二表面的目的。本发明提供的晶片制作方法简单，并且保证了晶片具有较大的可用面积。
主权项：1.一种晶片制作方法，其特征在于，包括：提供晶锭，所述晶锭包括在生长方向上的第一端面和第二端面，以及包括连接所述第一端面和所述第二端面的侧面；在所述晶锭的侧面形成主参考面和副参考面，所述主参考面和所述副参考面均沿所述生长方向延伸且均连接所述第一端面和所述第二端面，其中，在沿顺时针方向上，自所述第一端面侧和自所述第二端面侧示意所述晶锭时，所述副参考面相对所述主参考面的方位相反；在垂直所述生长方向上切割所述晶锭得到多个晶片，所述主参考面切割为所述晶片上的主定位面，所述副参考面切割为所述晶片上的副定位面；在沿顺时针方向上，根据所述副定位面相对所述主定位面的方位，区分所述晶片在所述生长方向上的第一表面和第二表面。
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