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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种硅通孔的集成方法，提供衬底，在衬底上形成有集成电路器件，形成覆盖集成电路器件单的层间介质层，利用光刻、刻蚀的方法在层间介质层上形成与集成电路器件相连通的接触孔，利用淀积、研磨的方法形成填充接触孔的牺牲层；利用光刻、刻蚀的方法在层间介质层及其下方的衬底上形成硅通孔，形成填充硅通孔的电介质层和第一金属层；去除牺牲层，形成填充接触孔且与第一金属层形成电接触的第二金属层。本发明在器件的接触孔制作完成的同时与硅通孔连接，最终将硅通孔与器件集成在一起，节省了接触孔的制作成本，从而降低了硅通孔与器件集成制造成本。
主权项：1.一种硅通孔的集成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有集成电路器件，形成覆盖所述集成电路器件单的层间介质层，利用光刻、刻蚀的方法在所述层间介质层上形成与所述集成电路器件相连通的接触孔，利用淀积、研磨的方法形成填充所述接触孔的牺牲层；步骤二、利用光刻、刻蚀的方法在所述层间介质层及其下方的所述衬底上形成硅通孔，形成填充所述硅通孔的电介质层和第一金属层；步骤三、去除所述牺牲层，形成填充所述接触孔且与所述第一金属层形成电接触的第二金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅通孔的集成方法
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