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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：示例性半导体处理方法可包括将含氟前驱物和含氢前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可包括沿基板的至少一个含硅材料层和至少一个含硅与锗材料层。所述方法可包括在处理区域内形成含氟前驱物和含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括使至少一个含硅材料层和至少一个含硅与锗材料层与含氟前驱物和含氢前驱物的等离子体流出物接触。所述方法可包括以比至少一个含硅与锗材料层更高的速率移除至少一个含硅材料层。
主权项：1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：将含氟前驱物和含氢前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域，其中基板设置在所述半导体处理腔室的所述处理区域内，且其中所述基板包括沿所述基板的至少一个含硅材料层和至少一个含硅与锗材料层；在所述处理区域内形成所述含氟前驱物和所述含氢前驱物的等离子体；使所述至少一个含硅材料层和所述至少一个含硅与锗材料层与所述含氟前驱物和所述含氢前驱物的等离子体流出物接触；以及以比所述至少一个含硅与锗材料层更高的速率移除所述至少一个含硅材料层。
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