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申请/专利权人：星钥(珠海)半导体有限公司
摘要：本发明属于半导体领域，具体公开一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法。本发明先通过溴化氢气体与硅基上的氮化镓在高温下进行分解反应，再配合后续的清洗，可以完成硅基表面氮化物祛除以及表面残留颗粒清洗，得到干净的再生硅基，该硅基可以再次利用生长如氮化镓、氮化镓铟等外延片，从而实现硅基的重复利用，降低硅资源的浪费及生产成本。
主权项：1.一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法，其特征在于，包括如下步骤：1在真空下，将硅基氮化镓外延片升温至1300-1350℃，通入溴化氢气体进行分解反应；再通入氮气吹扫并降至室温，得到预处理的硅基；2将所述预处理的硅基依次经过在药液中超声清洗、喷淋水洗、水中超声清洗和喷淋水洗，并采用氮气吹扫干燥，再经过烘烤，得到再生硅基。
全文数据：
权利要求：
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