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申请/专利权人：桂林电子科技大学
摘要：本发明公开一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，吸波器是由Ni和Ge多层纳米环阵列组成，这些纳米环周期性地排列在金衬底上，环与金属衬底之间有一层SiO2电介质。所提出的吸收器实现了对近红外光近乎完美的吸收，这归因于来自顶部纳米环的多种谐振模式的集成，包括电极性和磁极性。纳米环的组成、几何形状和排列显著影响该器件的吸收性能，具有较小的公差。通过不断优化结构，可以得到对300–2400nm波长的电磁波近乎完美吸收的吸波器，该吸波器在整个波段的平均吸收率超过95％。该吸波器浸没在水中部分，可以充当太阳能蒸发器，可能应用于太阳能产生、消毒和海水处理，从而生产淡水。未浸没在水中的部分，也可能充当太阳能发电装置。
主权项：1.一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，其特征在于：所述吸波器由吸波器单元构成，所述吸波器单元设置由5层结构构成，从下至上依次为平行于xoy平面的金属层6,二氧化硅衬底5,液态水4和金属纳米环1,2,3。其中吸波器单元的周期P,固定为200nm,金属层6的厚度h5,固定为200nm，二氧化硅衬底5的厚度为h4，固定为10nm，液态水4的厚度为h3,固定为290nm,金属纳米环1,2,3的相对高度分别为h1,h2和h3,固定分别为90nm,90nm和290nm,纳米环的内径分别为R1,R3和R5,固定分别为55nm,66nm和80nm,外径分别为R2,R4和R6,固定值分别为65nm,76nm和90nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器
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