龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种增强型沟槽栅氧化镓VDMOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件结构包括纵向自下而上的漏极、n+衬底，Si掺杂漂移层、Si+保护区、n+掺杂导电区、n‑掺杂沟道区、n+掺杂导电区、栅极介质、栅极金属Pt，栅极金属Au、源极金属。该器件及其制备方法，通过设置沟槽栅器件结构，有效降低了器件的导通电阻，提升了电流的效率和流通能力；通过采用Pt和Au构成的栅极金属，其中Pt完整覆盖n‑掺杂沟道区，实现了优越的栅极控制能力和器件关断特性，确保了器件在无电压状态下仍保持关断，符合增强型器件的需求；Si+保护层既重新分布了来自沟道区的电子，优化了电流的均匀性，又有效防护了栅极介质。
主权项：1.一种增强型沟槽栅氧化镓VDMOS器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n+衬底，所述n+衬底的上方设置有Si掺杂漂移层，所述Si掺杂漂移层的上方设置有Si+保护层；所述Si+保护层上方的中部设置有n+掺杂导电区，所述n+掺杂导电区的上方设置有n-掺杂沟道区，所述n-掺杂沟道区的上方还设置有一层n+掺杂导电区，位于n-掺杂沟道区上方的n+掺杂导电区的上方设置有源极金属；所述Si+保护层的上方还设置有栅极介质，所述栅极介质位于n+掺杂导电区和n-掺杂沟道区的外侧，所述栅极介质的凹槽内设置有栅极金属Pt，所述栅极金属Pt位于靠近n-掺杂沟道区的栅极介质凹槽的侧壁上，所述栅极介质的凹槽内还设置有栅极金属Au，所述栅极金属Au与位于n-掺杂沟道区上方的n+掺杂导电区的高度平齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种增强型沟槽栅氧化镓VDMOS器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号