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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司

摘要：本发明提供了一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上形成阻挡层，刻蚀、离子注入，形成超结结构层、掩蔽层、均流层、接触区、阱区及源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、漂移层、阱区以及均流层，形成通孔，之后进行干氧氧化形成栅介质层，所述栅介质层底部连接至所述掩蔽层，所述栅介质层内设有一沟槽；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀、淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀、金属淀积，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，提高器件的耐压能力。

主权项：1.一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成超结结构层；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成掩蔽层；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成均流层；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，采用离子注入形成接触区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成阱区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成源区；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、漂移层、阱区以及均流层，形成通孔，之后进行干氧氧化形成栅介质层，所述栅介质层底部连接至所述掩蔽层，所述栅介质层内设有一沟槽；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，在沟槽中淀积金属，形成栅极金属层；步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至接触区顶部，进行金属淀积，形成第一源极金属区；步骤11、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至源区顶部，进行金属淀积，形成第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区，去除阻挡层，完成制备。

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