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申请/专利权人：山东科技大学
摘要：本发明提供了一种缺氧化锆掺杂铌氧化物的局部有源忆阻器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，局部有源忆阻器包括：自下而上依次设置的衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；第一功能层和第二功能层由纳米堆叠结构薄膜材料制成，第一功能层的材料采用ZrO2‑x薄膜制成，其中0≤x2，第二功能层的材料采用NbxOy薄膜制成，其中1≤x≤2，1≤y≤5。本发明的技术方案克服现有技术中不能从物理层面模拟生物神经元的问题。
主权项：1.一种缺氧化锆掺杂铌氧化物的局部有源忆阻器，其特征在于，包括：自下而上依次设置的衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；第一功能层和第二功能层由纳米堆叠结构薄膜材料制成，第一功能层的材料采用ZrO2-x薄膜制成，其中0≤x2，第二功能层的材料采用NbxOy薄膜制成，其中1≤x≤2，1≤y≤5。
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百度查询： 山东科技大学 缺氧化锆掺杂铌氧化物的局部有源忆阻器及其制备方法
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