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申请/专利权人：贵州大学
摘要：本发明提供一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法，包括以下步骤：S1、使用Lammps与MaterialStudio材料模拟软件建立具有一定粗糙度的砷化镓衬底仿真模型，其表面粗糙度模拟现实难以以单晶状态存在的砷化镓晶体，表面粗糙模型以具体情况进行添加，在模型中划分固定区域进行固定以达到稳固基底的目的。本发明提供的一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法，通过MaterialStudio软件，Lammps开源软件、VESTA软件、Ovito可视化软件和Origin数据处理软件，所使用分子动力学模拟方法能克服了实验上成本大、时间长的困难，弥补了在实验过程中难以观察到原子生长过程中的单个原子的运动轨迹与内部结构变化的不足。
主权项：1.一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、使用Lammps与MaterialStudio材料模拟软件建立具有一定粗糙度的砷化镓衬底仿真模型，其表面粗糙度模拟现实难以以单晶状态存在的砷化镓晶体，表面粗糙模型以具体情况进行添加，在模型中划分固定区域进行固定以达到稳固基底的目的；S2、对S1创建的仿真衬底模型进行系综、时间步长、边界条件、体系初始温度等环境参数设置，为后续原子沉积做好环境设置准备；S3、在S2的基础上对模拟体系进行进一步优化，在体系中进行能量最小化、温度最小化、弛豫时间设置及势函数设置，在势函数的选择中使用Albe提出的Tersoff多体势函数以提高模拟计算的准确度；S4、使用分子动力学模拟软件Lammps对建立的仿真模型设置沉积原子个数、释放原子相隔时间等沉积参数；通过改变沉积速率、沉积原子入射角度等以改变其入射条件沉积多个薄膜，设置不同衬底温度以得到不同结构的结晶砷化镓薄膜；S5、运用径向分布函数、表面粗糙度密度、晶体结构识别、位错识别等多种分析手段对沉积薄膜表面及内部结构变化进行数据分析，所得结果以指导实验。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贵州大学 一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法
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