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申请/专利权人：长三角物理研究中心有限公司;中国科学院物理研究所
摘要：本发明实施例涉及一种集成电路用硅衬底及其制备方法。所述制备方法包括：在本征硅衬底上外延生长掺杂阻挡层，高掺杂低阻硅剥离层、非掺杂保护层和硅外延层，得到待键合圆片；将所述待键合圆片的硅外延层与第一硅衬底的表面进行键合，得到键合片；将所述键合片进行电化学腐蚀，通过所述电化学腐蚀去除所述高掺杂低阻硅剥离层，使得所述本征硅衬底及所述本征硅衬底上的掺杂阻挡层由所述键合片上剥离，得到硅基外延片；通过化学机械抛光去除所述硅基外延片上的所述非掺杂保护层，得到所述集成电路用硅衬底。
主权项：1.一种集成电路用硅衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在本征硅衬底上外延生长掺杂阻挡层，高掺杂低阻硅剥离层、非掺杂保护层和硅外延层，得到待键合圆片；将所述待键合圆片的硅外延层与第一硅衬底的表面进行键合，得到键合片；将所述键合片进行电化学腐蚀，通过所述电化学腐蚀去除所述高掺杂低阻硅剥离层，使得所述本征硅衬底及所述本征硅衬底上的掺杂阻挡层由所述键合片上剥离，得到硅基外延片；通过化学机械抛光去除所述硅基外延片上的所述非掺杂保护层，得到所述集成电路用硅衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长三角物理研究中心有限公司 中国科学院物理研究所 一种集成电路用硅衬底及其制备方法
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