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申请/专利权人：上海兆方半导体有限公司
摘要：本实用新型公开一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。所述硅基电容减少了光罩数量，降低了制造成本，同时提升了电容面积利用率，降低了接触通孔的蚀刻负载效应。
主权项：1.一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容；其特征在于，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。
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百度查询： 上海兆方半导体有限公司 一种硅基电容结构
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