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申请/专利权人：艾普凌科有限公司
摘要：本发明涉及充放电控制电路以及电池装置。提供能够在不另行设置保护电路的情况下保护充放电控制电路和电池装置免受反向连接状态的影响的技术。一种电池装置的充放电控制电路，所述电池装置具有二次电池、外部正极端子和外部负极端子、以及控制二次电池的充放电的充电控制FET和放电控制FET，其中，所述充放电控制电路具有：VDD端子，其被输入电压VDD；VSS端子，其被输入电压VSS；充电控制端子；放电控制端子；电压检测端子，其被输入向外部正极端子施加的电压；NMOS晶体管，其将放电控制端子和电压检测端子连结；以及双极晶体管，其将NMOS晶体管的块体、漏极和源极作为基极、集电极和发射极。
主权项：1.一种电池装置的充放电控制电路，所述电池装置具有：二次电池；外部正极端子和外部负极端子，它们能够与负载、充电器的正极和负极连接；充电控制FET，其控制所述二次电池的充电；以及放电控制FET，其控制所述二次电池的放电，所述充放电控制电路的特征在于，该充放电控制电路具有：第1电源电压输入端子，其被输入由所述二次电池产生的第1电源电压和第2电源电压中的第1电源电压；第2电源电压输入端子，其被输入比所述第1电源电压低的第2电源电压；充电控制端子，其与所述充电控制FET的栅极连接；放电控制端子，其与所述放电控制FET的栅极连接；电压检测端子，其被输入向所述外部正极端子施加的电压；NMOS晶体管，其将所述放电控制端子和所述电压检测端子连结；以及双极晶体管，其具有与所述NMOS晶体管的漏极连接的集电极、与所述NMOS晶体管的源极连接的发射极、以及与所述NMOS晶体管的块体和所述第2电源电压输入端子连接的基极。
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