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申请/专利权人：江西乾照光电有限公司
摘要：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过设置衬底以及依次沉积在所述衬底上的N型层、多量子阱层和P型层，所述N型层为LT‑AlN层、PALE‑AlN层、GaN量子点以及n‑AlxGa（1‑x）N层依次沉积的周期性的超晶格结构，由于多个GaN量子点分布在PALE‑AlN层和n‑AlxGa（1‑x）N层的交界面处，可以提供辐射复合所需的电子，引入量子点可以有效束缚电子，对往多量子阱层的有源区注入的电子进行减速，同时不影响空穴注入，从而提高器件的载流子注入效率。
主权项：1.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的N型层、多量子阱层和P型层，所述N型层为LT-AlN层、PALE-AlN层、GaN量子点以及n-AlxGa（1-x）N层依次沉积的周期性的超晶格结构，0≤x＜1；在沉积所述GaN量子点的过程中，首先只通入Ga源，在所述PALE-AlN层上形成Ga液滴；在形成Ga液滴后，立即通入N源；在N源环境下，升温并进行退火处理，形成GaN量子点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西乾照光电有限公司 一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
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