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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种双向耐压效果的SiCVDMOSFET结构，包括由若干个相互并联的VDMOS元胞构成的SiCVDMOSFET结构，所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；其中，所述半导体外延层包括沉底层、扩散层、P阱层以及重掺杂N阱层，所述重掺杂N阱层与金属源极欧姆接触；相邻所述VDMOS元胞之间的扩散层内部通过离子注入高浓度磷元素形成重掺杂P体区，所述重掺杂P体区底部与衬底层接触，其顶部与P阱层接触。本发明通过在漏极与衬底层交接处等距设置若干阻隔块，并且阻隔块采用金属铜材质，这样有效的增加电荷流入半导体外延层的效率，并且阻隔块采用梯形的设计也能增加对外延层热量的吸收。
主权项：1.一种双向耐压效果的SiCVDMOSFET结构，其特征在于，包括由若干个相互并联的VDMOS元胞构成的SiCVDMOSFET结构，所述VDMOS元胞包括漏极1、半导体外延层、金属源极2以及栅极3；其中，所述半导体外延层包括沉底层6、扩散层8、P阱层以及重掺杂N阱层10，所述重掺杂N阱层10与金属源极2欧姆接触；相邻所述VDMOS元胞之间的扩散层8内部通过离子注入高浓度硼元素形成重掺杂P体区7，所述重掺杂P体区7底部与衬底层6接触，其顶部与P阱层接触；单个所述VDMOS元胞内部且位于相邻两个重掺杂P体区7之间通过离子注入低浓度硼元素形成轻掺杂P体区9，所述轻掺杂P体区9与衬底层6接触；其中，所述漏极1与衬底层6之间设有阻隔块5，相邻所述阻隔块5之间的间距相等，所述阻隔块5由金属铜材质构成，并且所述阻隔块5与漏极1接触。
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权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种双向耐压效果的SiC VDMOSFET结构
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