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申请/专利权人：北京怀柔实验室
摘要：本申请涉及一种高关断能力的功率半导体器件以及制备方法，该功率半导体器件包括至少一个单元胞结构，每个单元胞结构包括依次层叠的阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构。其中，基区结构包括浮结区，浮结区的掺杂类型与基区结构的掺杂类型相反，浮结区，用于将阳极结构与阴极结构之间路径上的电流分流至阴极结构与门极结构之间的区域。通过在基区结构中加入浮结区，可以将阳极结构与阴极结构之间路径上的电流分流至阴极结构与门极结构之间的区域，从而减小阴极结构外侧边缘处的基区横向压降，可以达到阴极结构与门极结构快速换流的效果，进而有效提高功率半导体器件的关断能力。
主权项：1.一种高关断能力的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：至少一个单元胞结构，每个所述单元胞结构包括依次层叠的阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构；其中，所述基区结构包括浮结区，所述浮结区的掺杂类型与所述基区结构的掺杂类型相反；所述浮结区，用于将所述阳极结构与所述阴极结构之间路径上的电流分流至所述阴极结构与所述门极结构之间的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京怀柔实验室 高关断能力的功率半导体器件以及制备方法
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