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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司
摘要：本发明提供了一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆，属于半导体制造技术领域。用于硅片的外延生长的基座，包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，所述环形周缘形成有多个间隔排布的沟槽区域，所述沟槽区域沿所述环形周缘的周向均匀分布，所述沟槽区域呈扇环形，每一所述沟槽区域设置有多个阵列排布的凹坑。本发明的技术方案能够提高外延硅晶圆的平坦度。
主权项：1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，所述环形周缘形成有多个间隔排布的沟槽区域，所述沟槽区域沿所述环形周缘的周向均匀分布，所述沟槽区域呈扇环形，每一所述沟槽区域设置有多个阵列排布的凹坑。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安欣芯材料科技有限公司 用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆
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