龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京旭灿半导体科技有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
摘要：本发明提供一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用，其中制备方法包括：将碳化硅衬底放置在半封闭坩埚腔体结构中，得到坩埚空腔组合体；其中碳化硅衬底具有原子级表面；在坩埚空腔组合体内通入Ar或N2，温度控制在1250～1400℃，使碳化硅衬底的上表面生长石墨烯，得到碳化硅外延石墨烯；其中，半封闭坩埚腔体结构具有圆柱形的空腔，坩埚空腔底面直径比碳化硅衬底的直径大5～10mm；碳化硅衬底放置在半封闭坩埚腔体结构中后，碳化硅衬底上表面到半封闭腔体结构顶部内壁的距离为0.5～10mm；半封闭坩埚腔体结构的顶部设有连通空腔的通孔，开孔率为0.5％～10％；开孔率＝通孔横截面总面积空腔底面面积。该方法制备得到的碳化硅外延石墨烯厚度均匀，晶畴尺寸大，质量高。
主权项：1.一种制备碳化硅外延石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将碳化硅衬底1放置在半封闭坩埚腔体结构中，得到坩埚空腔组合体；其中所述碳化硅衬底1具有原子级表面；S2.在所述坩埚空腔组合体内通入Ar或N2，温度控制在1250～1400℃，使所述碳化硅衬底1的上表面生长石墨烯，得到碳化硅外延石墨烯；其中，所述半封闭坩埚腔体结构具有圆柱形的空腔，所述空腔底面直径比所述碳化硅衬底1的直径大5～10mm；所述碳化硅衬底1放置在所述半封闭坩埚腔体结构中后，所述碳化硅衬底1上表面到所述半封闭坩埚腔体结构顶部内壁的距离为0.5～10mm；所述半封闭坩埚腔体结构的顶部设有连通所述空腔的通孔4，开孔率为0.5％～10％；所述开孔率＝所述通孔4横截面的总面积所述空腔的底面面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京旭灿半导体科技有限公司 东旭科技集团有限公司 东旭集团有限公司 一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号