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申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。其中，外延结构包括多晶衬底和III‑V族化合物外延层，衬底靠近外延层一侧的表面包括多个孔状结构。本发明实施例提供的半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，通过采用表面包括多个孔状结构的多晶衬底来实现III‑V族化合物的外延层的生长，一方面，衬底的热膨胀系数与外延层的热膨胀系数更为接近，能够有效缓解热失配带来的热失配应变，减少了缺陷的产生，改善了外延层晶体质量，解决了现有外延结构产生缺陷的问题，提高产品良率，同时能够很容易的实现厚膜外延层的生长；另一方面，与单晶衬底相比，多晶衬底的制造成本更低，从而还降低了外延结构的生产成本。
主权项：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的外延层；其中，所述衬底的材料为多晶材料，所述衬底靠近所述外延层一侧的表面包括多个孔状结构，所述外延层的材料包括III-V族化合物。
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百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件
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