龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：方法和半导体器件包括具有一个或多个半导体器件的衬底。在一些实施例中，器件还包括设置在一个或多个半导体器件上方的第一钝化层。器件可以进一步包括形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属MIM电容器结构。此外，器件可以进一步包括设置在MIM电容器结构上方的第二钝化层。在各个实例中，应力减小部件嵌入在第二钝化层内。在一些实施例中，应力减小部件包括第一含氮层、设置在第一含氮层上方的含氧层和设置在含氧层上方的第二含氮层。本申请还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括一个或多个半导体器件；第一钝化层，设置在所述一个或多个半导体器件上方；金属-绝缘体-金属电容器结构，形成在所述第一钝化层上方；以及第二钝化层，设置在所述金属-绝缘体-金属电容器结构上方，其中，应力减小部件嵌入在所述第二钝化层内，所述应力减小部件包括第一含氮层、设置在所述第一含氮层上方的含氧层和设置在所述含氧层上方的第二含氮层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号