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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET。半导体衬底具有从前表面延伸并包括下部和上部的衬底沟槽。第一绝缘层衬在衬底沟槽上，第一导电材料通过第一绝缘层与半导体衬底绝缘以形成晶体管场板电极。第一绝缘层中的栅极沟槽限定第一绝缘层的整体部分，其围绕衬底沟槽的上部中的第一导电材料。第二绝缘层在栅极沟槽中的衬底沟槽的上部处衬在半导体衬底上。第二导电材料填充栅极。第二导电材料形成晶体管栅电极，该晶体管栅电极通过第二绝缘层与半导体衬底绝缘，并进一步通过第一绝缘层的整体部分与第一导电材料绝缘。
主权项：1.一种方法，包括：在半导体衬底中形成衬底沟槽；用第一绝缘层给衬底沟槽加衬；用第一导电材料填充所述衬底沟槽，所述第一导电材料通过所述第一绝缘层与所述半导体衬底绝缘；在所述第一绝缘层中形成栅极沟槽，形成所述栅极沟槽去除与所述衬底沟槽的上部中的侧壁相邻的所述第一绝缘层的部分，并且将所述第一绝缘层的整体部分保留在围绕所述第一导电材料的适当位置；用第二绝缘层在所述栅极沟槽处给所述衬底沟槽的所述上部的侧壁加衬；以及在所述栅极沟槽中沉积第二导电材料，所述第二导电材料通过所述第二绝缘层与所述半导体衬底绝缘，并且通过所述第一绝缘层的所述整体部分与所述第一导电材料绝缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET
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