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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。根据本公开的实施方式的半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和第二单元区域、设置于第一单元区域和第二单元区域之间的支撑件、层叠在第一单元区域中的第一栅极线、被构造为从第一栅极线延伸并且被构造为沿支撑件的第一侧壁向上突出的第一焊盘、层叠在第二单元区域中的第二栅极线、被构造为从第二栅极线延伸并且被构造为沿支撑件的第二侧壁向上突出的第二焊盘、以及被构造为沿支撑件的第三侧壁在第一方向上延伸并且被构造为电连接第一焊盘和第二焊盘的第一连接焊盘。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域，该第一单元区域和该第二单元区域在第一方向上彼此相邻；支撑件，该支撑件设置在所述第一单元区域与所述第二单元区域之间；第一栅极线，所述第一栅极线层叠在所述第一单元区域中；第一焊盘，所述第一焊盘从所述第一栅极线延伸并且沿所述支撑件的第一侧壁向上突出；第二栅极线，所述第二栅极线层叠在所述第二单元区域中；第二焊盘，所述第二焊盘从所述第二栅极线延伸并且沿所述支撑件的第二侧壁向上突出；以及第一连接焊盘，所述第一连接焊盘沿所述支撑件的第三侧壁在所述第一方向上延伸并且电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘。
全文数据：
权利要求：
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