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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及一种包括邻近隔离结构的多孔半导体材料的半导体器件。公开了半导体结构的实施例，该半导体结构包括半导体器件，该半导体器件具有有源器件区，以及位于有源器件区内的邻近隔离结构的多孔半导体材料。在一些实施例中，半导体器件可以是横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOSFET。LDMOSFET可以包括有源器件区、位于有源器件区内的阱区、位于阱区内的隔离结构、紧邻隔离结构的多孔区，以及与隔离结构接界即，位于沟道区和漏极区之间的漏极漂移区。多孔区可以改变隔离结构周围的漏极漂移区中的电场，因此，可以改善器件的漏极‑源极击穿电压BVdss和跨导Gm。还公开了用于形成半导体结构的方法实施例。
主权项：1.一种结构，包括：半导体层；以及器件，其包括：第一阱区，其位于所述半导体层中；多孔区，其位于所述第一阱区中；以及隔离结构，其位于所述第一阱区中，其中，所述多孔区紧邻所述隔离结构的至少一侧定位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 包括邻近隔离结构的多孔半导体材料的半导体器件
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