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申请/专利权人：广州铌奥光电子有限公司
摘要：本发明属于光通信技术领域，公开了一种基于X切的薄膜铌酸锂波导的集成功分器及其制备方法，埋氧层置于所述衬底上；直波导输入区置于埋氧层上，一端与输入端相连，另一端与所述错位宽波导区相连；错位宽波导区置于埋氧层上，一端与输出端相连；直角梯形波导区置于埋氧层上，并与错位宽波导区保持恒定间隔，一端与斜波导输出区相连；斜波导输出区置于埋氧层上，一端与另一输出端相连；直波导输入区、错位宽波导区、直角梯形波导区、斜波导输出区均沿铌酸锂晶轴的Y方向；绝缘包层置于直波导输入区、错位宽波导区、直角梯形波导区、斜波导输出区上；本发明具有消光比大、损耗小、精度高、尺寸小、高带宽、大容差、易于集成的优点。
主权项：1.一种基于X切的薄膜铌酸锂波导的集成功分器，其特征在于，包括衬底，埋氧层、直波导输入区、错位宽波导区、直角梯形波导区、斜波导输出区、绝缘包层；所述埋氧层置于所述衬底上，所述直波导输入区、错位宽波导区、直角梯形波导区、斜波导输出区置于埋氧层上，并沿铌酸锂晶轴的Y方向，所述错位宽波导区和所述直波导输入区相连，所述直角梯形波导区与所述宽波导区保持恒定间隔，且另一端直接与所述斜波导输出区相连；所述绝缘包层置于所述直波导输入区、错位宽波导区、直角梯形波导区、斜波导输出区上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州铌奥光电子有限公司 基于X切的薄膜铌酸锂波导的集成功分器及其制备方法
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