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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
摘要：本发明公开一种基于SiNSi双层波导的高功率偏振旋转合束器，包括偏振旋转器与模式复用器；偏振旋转器包括依次设置的硅衬底层、设于硅衬底层一侧的SiO2包层、以及均设于SiO2包层内的薄硅层与SiN层；薄硅层与SiN层间隔预设距离；模式复用器用于通过模式复用技术将两束TE0模式光合并在在一根波导中后进入偏振转换器。本发明通过在SiN波导的包层中增加薄硅层打破波导垂直方向的对称性，实现TE与TM模式之间的转换，从而基于SiNSi双层波导结构实现SiN波导中的光场偏振旋转。采用薄硅层打破波导垂直方向对称性的同时，SiN层耦合至下方Si波导中的光功率极低，不影响整个芯片的高功率承载能力，因而支持芯片进行大功率信号的处理。
主权项：1.一种基于SiNSi双层波导的高功率偏振旋转合束器，其特征在于，包括：偏振旋转器，所述偏振旋转器包括依次设置的硅衬底层、设于所述硅衬底层一侧的SiO2包层、以及均设于所述SiO2包层内的薄硅层与SiN层；所述薄硅层与所述SiN层间隔预设距离；模式复用器，所述模式复用器用于通过模式复用技术将两束TE0模式光合并在在一根波导中后进入所述偏振转换器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) 基于SiN/Si双层波导的高功率偏振旋转合束器
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