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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
摘要：一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器，包括水平T形的沟道，水平T形沟道两侧分别设有源极和漏极；所述沟道内靠近源极的一侧设有P型C状重掺杂区，沟道的上下表面均设有栅极介质层，栅极介质层的表面设有栅极，沟道与栅极之间，且栅极介质层近源极的一侧设有生物分子探测腔，源极和沟道形成肖特基接触；水平T形的沟道，使得源极侧的沟道厚度更大，因此增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的概率；P型C状重掺杂区的引入，大大降低了灵敏度的参考基准；提高了器件的开启电流灵敏度和跨导灵敏度；使用4H‑SiC作为沟道材料，4H‑SiC具有更宽的禁带宽度，相比于传统的Si沟道，降低了4H‑SiC肖特基势垒场效应晶体管SB‑FET的关态电流，降低了传感器的静态功耗；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。
主权项：1.一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器，包括水平T形沟道1，水平T形沟道1大头一侧设有源极2，小头一侧设有漏极3；其特征在于：所述水平T形沟道1内靠近源极2的一侧设有P型C状重掺杂区4；水平T形沟道1大头侧与小头侧之间的表面设有栅极介质层5；栅极介质层5的表面设有栅极6，水平T形沟道1与栅极6之间，且栅极介质层5近源极2的一侧设有生物分子探测腔7，源极2和水平T形沟道1形成肖特基接触8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学杭州研究院 一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器
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