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AlN单晶基板以及器件 

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申请/专利权人:日本碍子株式会社

摘要:提供一种在被加工磨削、研磨、切断等时难以产生裂纹的AlN单晶基板。该AlN单晶基板在将AlN单晶基板在25℃时的热导率Wm·K设为λ25、将AlN单晶基板在200℃时的热导率Wm·K设为λ200、将AlN单晶基板在25℃时的电阻率Ω·cm设为ρ、将AlN单晶基板在透射光谱中的640~660nm时的透过率%的平均值设为T640-660、将在上述透射光谱中的260~280nm时的透过率%的平均值设为T260-280时,满足5≤[λ25-λ200×log10ρ]T640-660-T260-280≤50的关系式。

主权项:1.一种AlN单晶基板,其中,在将所述AlN单晶基板在25℃时的热导率设为λ25,单位为Wm·K,将所述AlN单晶基板在200℃时的热导率设为λ200,单位为Wm·K,将所述AlN单晶基板在25℃时的电阻率设为ρ,单位为Ω·cm,将所述AlN单晶基板在透射光谱中的640~660nm时的以百分比计的透过率的平均值设为T640-660,将在所述透射光谱中的260~280nm时的以百分比计的透过率的平均值设为T260-280时,满足5≤[λ25-λ200×log10ρ]T640-660-T260-280≤50的关系式。

全文数据:

权利要求:

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