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申请/专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，尤其是涉及一种增强稳定性的超势垒整流器，目的是增加器件的可靠性和稳定性，包括背面金属层、导电类型衬底、导电类型外延层、多个掺杂区、栅极介质层、栅电极层、栅极加固层和正面金属层；导电类型外延层设置在导电类型衬底上；导电类型外延层上设置有多个凹槽，每个凹槽内分别设置一个掺杂区；导电类型外延层的顶面设置栅极介质层，栅极介质层上设置栅电极层，栅电极层上设置栅极加固层；超势垒整流器顶部覆盖正面金属层，超势垒整流器底部覆盖背面金属层。本实用新型具体更稳定、器件寿命更长的优点。
主权项：1.一种增强稳定性的超势垒整流器，其特征在于:包括背面金属层301、导电类型衬底101、导电类型外延层102、多个掺杂区、栅极介质层103、栅电极层104、栅极加固层和正面金属层109；所述导电类型外延层102设置在所述导电类型衬底101上；所述导电类型外延层102上设置有多个凹槽，每个凹槽内分别设置一个掺杂区；所述导电类型外延层102的顶面设置栅极介质层103，所述栅极介质层103上设置栅电极层104，栅电极层104上设置栅极加固层；超势垒整流器顶部覆盖正面金属层109，超势垒整流器底部覆盖背面金属层301。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都蓉矽半导体有限公司 一种增强稳定性的超势垒整流器
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