申请/专利权人：万闳企业有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN221282120U

主分类号：H01L23/552

分类号：H01L23/552;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权

摘要：本实用新型公开一种芯片封装，包含至少一芯片、一绝缘层、至少一第一金属层及至少一第二金属层；其中各第二金属层是填满地设在该绝缘层的至少一开口与各第一金属层的至少一开口内，并覆盖在各芯片的晶背上，且各第二金属层的第一表面水平高度与各第一金属层的第一表面水平高度相同；其中各第二金属层是由至少一导电胶填满在该绝缘层的各开口与各第一金属层的各开口后所形成的；其中各第二金属层的该第一表面是经由研磨作业所形成的平整表面，以避免影响产品的良率，并有效地解决芯片封装制程相对较复杂的问题。

主权项：1.一种芯片封装，其特征在于，包含：一基板，该基板具有一第一表面及相对的一第二表面；至少一第一电路层，每一该第一电路层是设在该基板的该第一表面上，每一该第一电路层具有一第一表面；至少一第二电路层，每一该第二电路层是设在该基板的该第二表面上；其中每一该第二电路层是通过该基板与每一该第一电路层电性连接；至少一芯片，每一该芯片是电性连接地设在每一该第一电路层的该第一表面上的，每一该芯片具有一晶背及相对的一连接面，每一该芯片的该连接面上具有至少两个晶垫，每一该芯片是经由每一该晶垫以与每一该第一电路层电性连接的；其中每一该芯片是通过先与每一该第一电路层的该第一表面电性连接，再通过每一该第一电路层与每一该第二电路层电性连接，以使每一该芯片由每一该第二电路层向外电性连接的；一绝缘层，该绝缘层是设在该基板上且包覆住每一该芯片，该绝缘层具有一第一表面及至少一开口；其中该绝缘层的每一该开口供每一该芯片的该晶背对外露出；至少一第一金属层，每一该第一金属层是全面覆盖地设在该绝缘层的该第一表面上，且每一该第一金属层具有一第一表面及至少一开口，每一该第一金属层的每一该开口是与该绝缘层的每一该开口相通的；其中每一该第一金属层的每一该开口供每一该芯片的该晶背对外露出；及至少一第二金属层，每一该第二金属层是填满地设在该绝缘层的每一该开口与每一该第一金属层的每一该开口内，并覆盖在每一该芯片的该晶背上，且每一该第二金属层的一第一表面水平高度与每一该第一金属层的该第一表面水平高度相同；其中每一该第二金属层是由至少一导电胶填满在该绝缘层的每一该开口与每一该第一金属层的每一该开口后所形成的；其中每一该第二金属层的该第一表面是经由研磨作业所形成的平整表面；其中每一该第二金属层是与每一该第一金属层连接一体而形成一全面式防护的金属层结构，用以防止每一该第一电路层、每一该第二电路层及每一该芯片受到电磁干扰，并直接对每一该芯片的该晶背产生散热功效。

全文数据：

权利要求：

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