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一种二极管的超薄型封装结构 

申请/专利权人:江苏海矽美电子科技有限公司

申请日:2023-10-17

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN221282100U

主分类号:H01L23/31

分类号:H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367;H01L29/861

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.05#授权

摘要:本实用新型涉及二极管组成结构相关技术领域,且公开了一种二极管的超薄型封装结构,包括封塑体和引线框架,所述封塑体上对称设置有两个铅锡引焊料区,铅锡引焊料区上设置有半导体元件,封塑体的顶部前侧对称设置有与半导体元件相对应的第一引脚和第二引脚,半导体元件与第一引脚和第二引脚之间通过焊线相连接。该二极管的超薄型封装结构,封塑体、半导体元件和引线框架采用减薄结构,最大限度的减小二极管封装机构的厚度,减小二极管封装结构的占用空间,有效提高产品的功率密度,而半导体元件与铅锡引焊料区之间较大面积的接触散热,有效增加产品的运行散热效率,提高产品稳定性。

主权项:1.一种二极管的超薄型封装结构,包括封塑体和引线框架,其特征在于:所述封塑体上对称设置有两个铅锡引焊料区,铅锡引焊料区上设置有半导体元件,封塑体的顶部前侧对称设置有与半导体元件相对应的第一引脚和第二引脚,半导体元件与第一引脚和第二引脚之间通过焊线相连接。

全文数据:

权利要求:

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