申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

申请日：2024-05-07

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118136675B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要：本发明公开了一种具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法。该碳化硅MOSFET器件包括栅极沟槽、源极上沟槽、源极下沟槽，第一导电类型衬底、外延层、源区，第二导电类型阱区。于栅极沟槽中形成栅极导电材料，于源极上沟槽和源极下沟槽中形成电场控制材料，关断状态下，电场调制结构可以有效调制第一导电类型外延层中的电场分布，既可保护栅介质，又可明显增大器件耐压，并减小器件的导通电阻。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。

主权项：1.具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括，漏极电极；位于漏极电极之上的第一导电类型衬底，位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层之中的源极下沟槽；位于所述源极下沟槽之上，与源极下沟槽相连通的源极上沟槽；源极上沟槽的宽度小于源极下沟槽的宽度，二者之差范围为0.2µm~2µm；位于所述第一导电类型外延层之中、相邻源极上沟槽之间的栅极沟槽；位于源极下沟槽的侧壁及底部、所述源极上沟槽侧壁的源介质层，位于所述源极下沟槽、所述源极上沟槽之中且被源介质层包裹的电场控制材料；位于所述栅极沟槽的侧壁及底部的栅介质层，位于所述栅极沟槽之中且被栅介质层包裹的栅极导电材料；位于所述栅极沟槽和源极上沟槽之间的第二导电类型阱区；位于所述第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区；位于所述第一导电类型外延层之上，完全覆盖栅极导电材料的隔离介质层；位于所述第一导电类型外延层之上、所述隔离介质层的两侧及之上的源极金属。

全文数据：

权利要求：

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