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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种低导通电阻的双沟道HEMT器件，涉及半导体领域，针对现有技术中器件性能不可靠的问题提出本方案。利用InAlN材料作为势垒层，以使所述势垒层与GaN材料构成缓冲层之间形成二维电子气。优点在于，解决了势垒层应变而引起的问题，InAlN三元合金代替常规AlGaN势垒层是很好的途径。依赖于In组分的变化，InAlN合金的禁带宽度可以在0.7～6.2eV之间变化，并且和GaN之间能形成c面内a轴晶格常数的匹配。当In组分为17％时可以实现晶格匹配的无应变InAlNGaN异质结，消除了压电极化的影响。InAlNGaNHEMT中2DEG的浓度可达AlGaNGaNHEMT的2倍以上。因此，InAlNGaN异质结比AlGaNGaN异质结可以具有更薄的势垒层厚度同时产生足够的2DEG。
主权项：1.一种低导通电阻的双沟道HEMT器件，其特征在于，利用InAlN材料作为势垒层，以使所述势垒层与GaN材料构成缓冲层之间形成二维电子气。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种低导通电阻的双沟道HEMT器件
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