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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日：2022-10-27
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN115548170B
主分类号：H01L31/20
分类号：H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/075;H01L31/0216
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.01.20#实质审查的生效;2022.12.30#公开
摘要：本发明公开了HBC太阳能电池及其制备方法，其中，制备方法包括：提供具有第一表面和第二表面的半导体基底，第一表面包括相邻的第一区域、隔离区域和第二区域；在第一表面形成第一保护层；使第一区域裸露，在第一区域上依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；使第二区域裸露，在第二区域上依次形成第三本征非晶硅层和N型非晶硅层。本发明通过在半导体基底的第一表面上增加保护层，由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤，从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。
主权项：1.一种制备HBC太阳能电池的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括相邻的第一区域、隔离区域和第二区域，所述隔离区域在所述第一区域和所述第二区域之间；在所述第一表面依次形成第一耐碱性层、耐强酸隔离缓冲层和第二耐碱性层；图案化去除所述第一区域上对应的所述第二耐碱性层、所述耐强酸隔离缓冲层和所述第一耐碱性层，形成第一中间件，在所述第一中间件的远离所述第二表面的一侧依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；图案化去除所述第二区域上对应的所述P型非晶硅层、所述第二本征非晶硅层、所述第二耐碱性层、所述耐强酸隔离缓冲层和所述第一耐碱性层，形成第二中间件，在所述第二中间件的远离所述第二表面的一侧依次形成第三本征非晶硅层和第一N型非晶硅层；图案化去除所述第一区域对应的所述P型非晶硅层上的所述第三本征非晶硅层和所述第一N型非晶硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 HBC太阳能电池及其制备方法
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