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申请/专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;浙江爱康新能源科技股份有限公司

摘要：本发明涉及的一种P型HBC电池结构及其制备方法，它包括P型硅衬底，所述P型硅衬底的背面中部设有一块P型重掺杂区，所述P型硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述P型硅衬底的背面的非晶硅本征层的外侧设有N型非晶硅掺杂层，所述P型硅衬底的正面的非晶硅本征层的外侧设有SiNX减反膜；所述N型非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜；所述TCO导电膜的外侧设有若干N型Ag电极，所述TCO导电膜上设有一个槽口，槽口的深度贯穿TCO导电膜和N型非晶硅掺杂层，使得P型重掺杂区的底部裸露，所述P型重掺杂区的底部连接P型Ag电极。本发明用铝浆料预烧结方式实现了局部的P++层，实现了对硅片热处理及吸杂处理，提高了硅片内在品质。

主权项：1.一种P型HBC电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下内容：步骤一、硅片清洗：选取P型硅片，对其进行制绒、清洗处理；硅片经高效清洗后制绒，硅片的正面形成绒面层；步骤二、印刷铝浆：在硅片的背面单面印刷，浆料为铝浆，印刷的位置为电池的P型重掺杂区；步骤三、高温烧结：将印刷后的硅片放入炉体中，在炉体中进行烧结，铝浆与硅片基体形成欧姆接触，形成P型重掺杂区域；步骤四、硅片清洗：将高温烧结后的硅片高效清洗，烧结后的铝浆依然裸露于硅片表面，铝浆的厚度确保能和低温银浆形成接触；步骤五、双面本征层及N型非晶硅掺杂层镀膜：通过PECVD技术在电池片的正背面上均分别镀上本征非晶硅薄膜，形成非晶硅本征层；通过PECVD技术在电池片的背面镀上N型非晶硅掺杂层；步骤六、减反膜制备：通过PECVD方法在电池片的正面镀上SiNX减反膜；步骤七、TCO导电膜沉积：通过采用PVD设备技术在电池片上镀透明的TCO导电膜；步骤八、激光开槽：在电池片背面的P型重掺杂区的底部激光开槽，激光消融TCO导电膜、N型非晶硅掺杂层及非晶硅本征层，将铝浆料裸露在硅片表面；步骤九、电极印刷及烧结：通过丝网印刷工艺分别在电池背面印刷P型银浆和N型银浆，P型和N型的浆料均为低温银浆料；通过低温烧结后，N型低温银浆与TCO膜层形成连接；通过低温烧结后，P型低温银浆料和铝浆料实现欧姆接触；步骤十、分选测试：通过分选测试挑选需电池片。

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