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申请/专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
摘要：本发明公开了一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法，包括以下步骤：将硅片制绒后，在硅片背面沉积第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层，采用光刻法去除第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层上的部分区域并沉积第二i型非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层；在硅片背面沉积氮化硅薄膜层并覆盖油墨层，用光刻法将需要腐蚀的p‑n分离区的油墨和氮化硅掩模去除，将油墨层清洗掉，用腐蚀液去除p‑n分离区内的n型非晶硅薄膜层和第二i型非晶硅薄膜层，实现pn结隔离。本发明的方法可快速简单地实现pn结隔离，并得到具有高钝化性能、高致密性、耐腐蚀性好、膜厚均匀可控的氮化硅掩模，使硅片少子寿命提升30％以上。
主权项：1.一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片1制绒后，在硅片1背面沉积第一i型非晶硅薄膜层2、p型非晶硅薄膜层3，然后根据预设的第二i型非晶硅薄膜层4、n型非晶硅薄膜层5需要的区域，在第一i型非晶硅薄膜层2、p型非晶硅薄膜层3上采用光刻法去除该区域，再沉积第二i型非晶硅薄膜层4和n型非晶硅薄膜层5，在n型非晶硅薄膜层5的边缘区域处存在p-n重叠区；S2、在上述所得硅片1背面于50℃～200℃温度下沉积氮化硅薄膜层6；S3、在氮化硅薄膜层6上覆盖油墨层7；S4、根据后续需要腐蚀的p-n分离区的位置，采用光刻方法将该位置处的油墨去除；S5、采用氢氟酸溶液将该p-n分离区位置处的氮化硅掩模去除；S6、将油墨层7清洗掉，防止后续油墨污染非晶硅薄膜；S7、采用腐蚀液去除n型非晶硅薄膜层5、第二i型非晶硅薄膜层4，形成p-n分离区，实现pn结隔离。
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权利要求：
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