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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2020-09-25
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN112330590B
主分类号：G06T7/00
分类号：G06T7/00;G01N23/2251;H01L21/66
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开
摘要：本发明提供了一种晶圆缺陷的验证方法，包括：扫描装置扫描晶圆以获得晶圆图像，并且将晶圆上的疑似缺陷的位置传给图像处理装置，其中：晶圆图像包括多个晶粒图像；图像处理装置根据疑似缺陷的位置获取疑似缺陷所在的晶粒的图像作为第一晶粒图像，以及获取与第一晶粒图像相邻的第二晶粒图像和第三晶粒图像；获取第一晶粒图像的灰度值和第二晶粒图像的灰度值的差异作为第一差异，获取第二晶粒图像的灰度值和所述第三晶粒图像的灰度值的差异作为第二差异；获取第一差异和所述第二差异的差值，如果差值大于设定值，则认为所述疑似缺陷为晶圆缺陷。可以排除不同光刻条件造成的关键尺寸的差异对验证晶圆缺陷的影响，提高验证晶圆缺陷的准确率。
主权项：1.一种晶圆缺陷的验证方法，用于工艺窗口验证中的晶圆缺陷的验证，其特征在于，包括：扫描装置扫描晶圆以获得晶圆图像，并且将所述晶圆上的疑似缺陷的位置传给图像处理装置，其中：所述晶圆图像包括多个晶粒图像；图像处理装置根据所述疑似缺陷的位置获取所述疑似缺陷所在的晶粒的图像作为第一晶粒图像，以及获取与所述第一晶粒图像相邻的第二晶粒图像和第三晶粒图像；获取所述第一晶粒图像的灰度值和第二晶粒图像的灰度值的差异作为第一差异，获取所述第二晶粒图像的灰度值和所述第三晶粒图像的灰度值的差异作为第二差异；获取所述第一差异和所述第二差异的差值，如果差值大于设定值，则认为所述疑似缺陷为晶圆缺陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷的验证方法
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