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高反光表面的缺陷检测方法 

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申请/专利权人:上海库灵科技有限公司

摘要:本申请涉及一种高反光表面的缺陷检测方法,包括如下步骤:使用n步相移正弦条纹光照射被测物体表面;计算被测物体表面反射正弦条纹光的灰度响应幅值,记为fv,确定fv不为0的区域为被测物体表面的待检测区域;对于待检测区域表面某一位置位置的包裹相位记作fphi;对fv进行二值化及腐蚀处理,得到待检测区域的掩膜,记作mask,非条纹反射区域的像素值为1;对fv使用均衡算法,结果图像记作fveq;对fphi进行局域相位环路积分,结果记作fci,若该像素为缺陷,积分结果不为零;根据fveq,或者根据fveq和fci计算出的缺陷分布图,记为fdef;对计算缺陷分布图进行密度聚类,筛除离散的缺陷像素点,余下的缺陷像素点判定为缺陷。

主权项:1.一种高反光表面的缺陷检测方法,其特征在于,包括如下步骤:使用n步相移正弦条纹光照射被测物体表面;计算所述被测物体表面反射正弦条纹光的灰度响应幅值,记为fv,确定fv不为0的区域为所述被测物体表面的待检测区域;对于所述待检测区域表面某一位置位置的n步相移的相差为所述位置的包裹相位记作fphi;对所述fv进行二值化及腐蚀处理,得到所述待检测区域的掩膜,记作mask,所述非条纹反射区域的像素值为1,反之为0;对所述fv使用均衡算法,结果图像记作fveq;对所述fphi进行局域相位环路积分,结果记作fci,若该像素为局域光滑,则积分结果趋近于0,若该像素为缺陷,积分结果不为零;根据所述fveq计算出的缺陷分布图,或者根据所述fveq和所述fci计算出的缺陷分布图,记为fdef;对所述计算缺陷分布图进行密度聚类,通过密度聚类算法筛除离散的缺陷像素点,余下的缺陷像素点判定为缺陷。

全文数据:

权利要求:

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