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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2020-03-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111312859B
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/074
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开
摘要：本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。
主权项：1.一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上通过热丝化学气相沉积工艺生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，其特征在于，该制备方法还包括冷却轻掺杂型硅基薄膜，冷却步骤中不通电流或通入10A以下电流且不通入任何气体，然后再通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，富含激活掺杂元素的氛围中不含有高能量的离子，在该氛围下通过热丝光催化化学气相沉积工艺对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以使得掺杂元素进入轻掺杂型硅基薄膜的硅网络中与硅键合实现再掺杂形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量，生长、冷却和后处理轻掺杂型硅基薄膜的步骤依次重复若干次。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用
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