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一种纳米圆柱阵列长波通滤波片 

申请/专利权人:扬州大学

申请日:2022-05-16

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN114740561B

主分类号:G02B5/20

分类号:G02B5/20;G02B5/22

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.05#授权;2022.07.29#实质审查的生效;2022.07.12#公开

摘要:本发明公开了一种纳米圆柱阵列长波通滤波片,包括基底,基底上刻有纳米圆孔阵列,基底上还设有纳米圆柱阵列;纳米圆孔阵列中,各纳米圆孔贯穿基底,并成矩形整列排列;纳米圆柱阵列中,各纳米圆柱底部插入到基底内,并成矩形整列排列;在垂直纳米圆孔的平面上,纳米圆孔阵列和纳米圆柱阵列在两个方向上分别交错布置。本发明的纳米圆柱阵列长波通滤波片结构中,纳米圆柱阵列主要的工作方式是吸收紫外线而透过红外线,周期性纳米圆柱阵列对紫外波段的吸收性良好,对红外波段的透过性极佳,实现了在短波段的平均透过率低于1.5%,在长波段的平均透过率达到95%以上。

主权项:1.一种纳米圆柱阵列长波通滤波片,其特征在于,包括基底,所述基底上刻有纳米圆孔阵列,所述基底上还设有纳米圆柱阵列;所述纳米圆孔阵列中,各纳米圆孔贯穿基底,并成矩形整列排列;所述纳米圆柱阵列中,各纳米圆柱底部插入到基底内,并成矩形整列排列;在垂直所述纳米圆孔的平面上,所述纳米圆孔阵列和所述纳米圆柱阵列在两个方向上分别交错布置;所述基底材料为SiO2,所述纳米圆柱的材料为GaAs;所述纳米圆孔和所述纳米圆柱的半径r一致,取值范围为25nm-40nm;两纳米圆柱的半间距l取值范围为40nm-60nm,纳米圆柱的高度H取值范围为600-1100nm;所述基底的厚度h1为150nm-200nm。

全文数据:

权利要求:

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