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申请/专利权人：山东省科学院激光研究所
摘要：本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供衬底，生长缓冲层、N型DBR结构、N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR结构，刻蚀多个第二孔洞腐蚀P型DBR结构形成多个环形腔体，沉积第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极，得到长波长垂直腔表面发射激光器。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。
主权项：1.一种长波长垂直腔表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：S1：提供一层N-InP衬底；S2：在所述N-InP衬底上生长N-InP缓冲层；S3：在所述N-InP缓冲层背离所述N-InP衬底的一侧依次生长第一N-InP层、第一介质绝缘材料层；S4：在所述第一介质绝缘材料层上刻蚀形成多个第一孔洞；其中，所述第一孔洞的高度与所述第一介质绝缘材料层的高度相同；S5：在所述第一孔洞和所述第一介质绝缘材料层上同步生长第二N-InP层，以形成N型DBR结构；S6：重复执行S3-S5，10-20次；S7：在所述N型DBR结构上依次生长N-InP空间层、周期性AlInGaAsInAlGaAs多量子阱层、P-InP空间层、P型AlInAsInP的DBR结构；S8：在所述P型AlInAsInP的DBR结构上刻蚀形成多个第二孔洞；其中，所述第二孔洞的高度与所述P型AlInAsInP的DBR结构的高度相同；S9：采用HF溶液通过所述第二孔洞腐蚀所述P型AlInAsInP的DBR结构中的AlInAs，以在所述第二孔洞周围形成多个间隔设置的环形腔体；其中，所述环形腔体的高度与所述AlInAs的高度相同；S10：在所述第二孔洞和所述环形腔体内沉积第二介质绝缘材料层；S11：分别在所述N-InP衬底和所述P型AlInAsInP的DBR结构上沉积第一电极和第二电极，以得到长波长垂直腔表面发射激光器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东省科学院激光研究所 一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法
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