买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：山东省科学院激光研究所

摘要：本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层；在缓冲层生长N型DBR；腐蚀形成第一孔洞；沉积第一介质绝缘材料层；在N型DBR生长N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR；刻蚀形成第二孔洞，在第二孔洞的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；填充第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。

主权项：1.一种长波长垂直腔表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：S1：提供一层N-InP衬底；S2：在所述N-InP衬底上生长N-InP缓冲层；S3：在所述N-InP缓冲层背离所述N-InP衬底的一侧生长N型第一N-InPInGaAs第二N-InPDBR结构；其中，第一N-InP的厚度小于第二N-InP的厚度；S4：在所述第二N-InP上腐蚀多个第一孔洞；其中，所述第一孔洞阵列排布在所述第二N-InP，所述第一孔洞的高度与所述第二N-InP的高度相同；S5：在所述第一孔洞内沉积第一介质绝缘材料层；其中，所述第一介质绝缘材料层的高度与所述第一孔洞的高度相同；S6：重复执行S3至S5，5至12次；S7：在所述N型第一N-InPInGaAs第二N-InPDBR结构上依次生长N-InP空间层、周期性AlInGaAsInAlGaAs多量子阱层、P-InP空间层、P型AlInAsInPDBR结构；S8：在所述P型AlInAsInPDBR结构上刻蚀形成多个第二孔洞，得到晶圆结构；其中，所述第二孔洞阵列排布在所述P型AlInAsInPDBR结构上，所述第二孔洞的高度与所述P型AlInAsInPDBR结构的高度相同；S9：将所述晶圆结构浸泡在HF溶液中，所述HF溶液通过所述第二孔洞腐蚀所述P型AlInAsInPDBR结构中的AlInAs，以在每个所述第二孔洞的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；S10：在所述第二孔洞和所述环形空腔内填充第二介质绝缘材料层；S11：分别在所述P型AlInAsInPDBR结构和所述N-InP衬底上沉积第一电极和第二电极，以得到长波长垂直腔表面发射激光器；其中，所述第一电极覆盖多个所述第二孔洞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东省科学院激光研究所 一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法