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申请/专利权人：山东省科学院激光研究所

摘要：本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上生长缓冲层、腐蚀停止层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层和P‑DBR；在P‑DBR刻蚀多个孔状结构，腐蚀P‑DBR的AlGaAs，形成环形腔体；沉积第一金属电极；沉积Cu支撑；腐蚀衬底、缓冲层和腐蚀停止层；刻蚀N‑DBR；沉积第二金属电极，形成长波长垂直腔表面发射激光器。该制备方法能够有效保证晶体质量和光增益性能，能够满足实用性要求。且该制备方法能够有效减少下DBR中的制备对数，提高散热能力。同时由于制备对数的减少可以减少生产时间，提高生产速率并有效提高成品率。

主权项：1.一种长波长垂直腔表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供一层N-InP衬底；采用金属氧化物化学沉积技术或分子束外延技术在所述N-InP衬底上依次生长N-InP缓冲层、InGaAs腐蚀停止层、N-InPInAlAs的DBR结构、N-InP空间层、周期性AlInGaAsInAlGaAs多量子阱层、P-InP空间层和P-AlGaAsInP的DBR结构；采用光刻技术和ICP刻蚀技术在所述P-AlGaAsInP的DBR结构刻蚀多个孔状结构，得到第一晶圆结构，其中，多个所述孔状结构阵列排布，所述孔状结构的高度与所述P-AlGaAsInP的DBR结构的高度相同；将所述第一晶圆结构浸泡在HF溶液中，使所述HF溶液通过所述孔状结构腐蚀所述P-AlGaAsInP的DBR结构中的AlGaAs，以在每个所述孔状结构周围形成多个间隔设置的环形腔体；其中，每一层所述AlGaAs中的环形腔体间隔设置；在所述P-AlGaAsInP的DBR结构上沉积第一金属电极；其中，所述第一金属电极覆盖多个所述孔状结构；采用电镀技术，在所述第一金属电极上沉积Cu支撑；采用湿法腐蚀技术，腐蚀所述N-InP衬底、所述N-InP缓冲层和所述InGaAs腐蚀停止层；采用光刻技术和ICP刻蚀技术刻蚀所述N-InPInAlAs的DBR结构，以形成多个柱状结构；其中，沿所述Cu支撑至所述N-InP空间层的方向，同一层任意相邻的两个环形腔体之间的所述AlGaAs的投影落在所述柱状结构上；在每个所述柱状结构上沉积第二金属电极，以形成长波长垂直腔表面发射激光器。

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百度查询： 山东省科学院激光研究所 一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法