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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-03-10
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299300A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/306
优先权：["20190315 JP 2019-048845","20200107 JP 2020-000624"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：处理槽，其用于浸渍基片来对该基片进行处理；混合装置，其将磷酸水溶液与用于抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液；送液路径，其从所述混合装置向所述处理槽输送所述混合液；硅溶液供给部，其向从所述混合装置供给的所述混合液供给含硅化合物水溶液；和控制部，其控制所述处理槽、所述混合装置、所述送液路径和所述硅溶液供给部，所述控制部进行控制，以使得在所述基片被浸渍于所述处理槽中时，向所述处理槽供给不含有所述含硅化合物水溶液的所述混合液。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
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