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集成电路的封装结构及集成电路封装方法 

申请/专利权人:深圳市国德实业有限公司

申请日:2024-04-03

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118299370A

主分类号:H01L23/552

分类号:H01L23/552;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/60

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开了一种集成电路的封装结构及集成电路封装方法,封装结构包括正装芯片、倒装芯片与连接板;连接板,其置于正装芯片与倒装芯片之间;连接板具有基板以及位于基板上的电接触部与贯穿连接部;电接触部的类型分为信号接触部与地接触部;贯穿连接部穿过基板并连接位于基板正、反两侧的电接触部;连接板还包括屏蔽网与第一绝缘层;基板的正、反表面具有离子渗透层,屏蔽网与离子渗透层接触;信号接触部被第一绝缘层隔绝在屏蔽网的外侧;地接触部具有置于屏蔽网外侧的主体部,以及穿过屏蔽网并直接与基板的硅本体接触的穿引部。本发明可以增强对异面芯片之间电磁干扰的屏蔽效果,同时还能抑制同面芯片之间的电磁干扰。

主权项:1.集成电路的封装结构,其包括:正装芯片;倒装芯片;连接板,其置于所述正装芯片与所述倒装芯片之间;所述连接板具有基板以及位于所述基板上的:电接触部,其类型分为信号接触部与地接触部;贯穿连接部,其穿过所述基板并连接位于所述基板正、反两侧的所述电接触部;屏蔽网;第一绝缘层;其特征在于:所述基板的正、反表面具有离子渗透层,所述屏蔽网与所述离子渗透层接触;所述信号接触部被所述第一绝缘层隔绝在所述屏蔽网的外侧;所述地接触部具有:置于所述屏蔽网外侧的主体部,以及穿过所述屏蔽网并直接与所述基板的硅本体接触的穿引部。

全文数据:

权利要求:

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