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申请/专利权人：SPTS科技有限公司
摘要：本发明涉及一种用于制造集成电路的方法以及由该方法制造的集成电路。在集成电路制造工艺过程中去除金属互连层的多余金属的方法包括以下步骤：使用包含惰性气体的等离子体，等离子体蚀刻所述金属互连层的多余金属部分一段蚀刻持续时间。该方法还包括在完全去除多余金属部分之前并因此在其上形成有金属互连的电介质表面变得完全暴露之前，停止蚀刻工艺。随后使用第二蚀刻步骤去除包括多余金属的残留物的剩余多余金属部分。
主权项：1.一种用于在集成电路制造工艺过程中去除金属互连层的多余金属的方法，所述方法包括以下步骤：使用包含惰性气体的等离子体，等离子体蚀刻所述金属互连层的多余金属部分一段蚀刻持续时间，所述金属互连层设置在介电层上，所述多余金属部分设置在所述介电层的表面上，其中所述多余金属部分包括设置在所述介电层上的至少一个阻挡层和设置在所述阻挡层上的铜层，其中所述惰性气体包括氩气；控制所述蚀刻持续时间以在从所述介电层上完全去除所述多余金属部分之前停止所述等离子体蚀刻，其中所述蚀刻持续时间足以完全移除所述多余金属部分的所述铜层以及移除大部分所述多余金属部分的所述阻挡层，由此所述介电层的所述表面不暴露于所述等离子体；及蚀刻剩余的多余金属部分以从所述介电层上去除多余金属的残留物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SPTS科技有限公司 制造集成电路的方法以及由该方法制造的集成电路
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