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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种集成电路装置。装置包括：下源极漏极区域；下接触件，其分别在下源极漏极区域的底表面上；上源极漏极区域，其在竖直方向上与下源极漏极区域间隔开；上接触件，其分别在上源极漏极区域的上表面上；以及第一竖直导电轨，其电连接至下接触件和上接触件的第一接触件；第一竖直导电轨，其在竖直方向上延伸，并且包括在第一竖直水平处具有第一上表面的第一部分和在低于第一竖直水平的第二竖直水平处具有第二上表面的第二部分。第二部分在竖直方向上与上接触件中的第一上接触件重叠。
主权项：1.一种集成电路装置，包括：多个下源极漏极区域；多个下接触件，所述多个下接触件分别在所述多个下源极漏极区域的底表面上；多个上源极漏极区域，所述多个上源极漏极区域在竖直方向上与所述多个下源极漏极区域间隔开；多个上接触件，所述多个上接触件分别在所述多个上源极漏极区域的上表面上；以及第一竖直导电轨，其电连接至所述多个下接触件和所述多个上接触件的第一接触件，所述第一竖直导电轨在所述竖直方向上延伸，并且包括在第一竖直水平处具有第一上表面的第一部分和在低于所述第一竖直水平的第二竖直水平处具有第二上表面的第二部分，其中，所述第二部分在所述竖直方向上与所述多个上接触件中的第一上接触件重叠。
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