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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要：本发明公开了一种相变制冷热沉结构及其制作方法和DFB激光器，包括设置在芯片阵列与TEC之间的热沉本体、相变腔以及容置于所述相变腔内的相变介质，所述相变腔具有第一端和第二端，所述相变腔内形成有沿第一端至第二端方向设置的第一传导路径以及沿第二端至第一端方向设置的第二传导路径，所述相变介质具有能够相互转化的第一状态和第二状态，所述芯片阵列产生的热量经对应侧的热沉本体传递至所述相变腔的第一端使第一状态下的相变介质吸热转化成第二状态并经第一传导路径传递至所述相变腔的第二端，第二状态下的相变介质通过热沉本体的对应侧与TEC接触放热转化成第一状态并经第二传导路径传递至所述相变腔的第一端，实现芯片阵列与TEC之间的热量传导。
主权项：1.一种相变制冷热沉结构，用于将芯片阵列产生的热量传导至TEC，其特征在于，包括设置在芯片阵列与TEC之间的热沉本体、设置于所述热沉本体内的相变腔以及容置于所述相变腔内的相变介质，所述相变腔具有靠近芯片阵列的第一端和靠近TEC的第二端，所述相变腔内形成有沿第一端至第二端方向设置的第一传导路径以及沿第二端至第一端方向设置的第二传导路径，所述相变介质具有能够相互转化的第一状态和第二状态，所述芯片阵列产生的热量经对应侧的热沉本体传递至所述相变腔的第一端使第一状态下的相变介质吸热转化成第二状态并经第一传导路径传递至所述相变腔的第二端，第二状态下的相变介质通过热沉本体的对应侧与TEC接触放热转化成第一状态并经第二传导路径传递至所述相变腔的第一端，形成循环回路实现芯片阵列与TEC之间的热量传导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种相变制冷热沉结构及其制作方法和DFB激光器
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